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常见三种北京铌酸锂晶体制备办法

来源:http://bj.hctoptics.com/news902180.html 发布时间:2022-12-23 3:00:00

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  北京铌酸锂晶体有两个特点十分受重视,一是铌酸锂晶体光电效应多,具备包含压电效应、电光效应、非线性光学效应、光折变效应、光生伏打效应、光弹效应、声光效应等几种光电功能;二是铌酸锂晶体的功能可调控性强,它是由铌酸锂晶体的晶格结构和丰富的缺点结构所导致,铌酸锂晶体的诸多功能能够从晶体组分、元素掺杂、价态操控等进行大幅度调控。

  铌酸锂晶体的制备

  (1)同成分铌酸锂晶体

  针对同成分铌酸锂晶体来讲,其制备大多选用提拉法。虽然泡生法、导模法、温梯法等办法也曾用来进行铌酸锂晶体的制备,但和提拉法比照并没有显着优势以及具有明确的事务需求,因而并未得到广泛的重视。

  (2)近化学计量比铌酸锂晶体

  近化学计量比铌酸锂晶体虽然具备诸多优异的光电功能,但其配比偏离固液同成分共熔点,无法选用惯例提拉法成长高质量晶体,现在大多选用的制备办法有富锂熔体法、助熔剂法、扩散法。

  (3)铌酸锂单晶薄膜

  铌酸锂单晶薄膜能够运用在光波导、声学器材等微纳结构及其制备硅基等混合集成器材等多个方面,人们老早就开始探究铌酸锂单晶薄膜的制备,不过真正得到应用的办法只有“离子切片”(IonSlicing)技能,现在已完成了商品化,能够供给厚度为300~900nm的单晶薄膜产品。


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