北京YVO4晶体的负折射特性剖析 ?

来源：http://bj.hctoptics.com/news929559.html 发布时间：2023-4-2 3:00:00

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　　北京YVO4晶体在可见光及近红外波段有杰出的透光性，透光范围较宽，硬度较高，可人工生长出大块优质晶体，并且易于加工，价格较低，是光通信无源器材如光隔离器、旋光器、推迟器、偏振器中的关键资料。

　　北京YVO4晶体(no=2.02,ne=2.25,532 nm)相比KDP(no=1.51,ne=1.47,532 nm)及其他光学晶体各向异性更强，负折射相关视点更大。为确认YVO4晶体的负折射与使用，详细分析YVO4晶体光轴取向不同时空气与晶体的界面上e光负折射的最大入射角与出射角范围及其与光轴角的关系，并分析e光在孪晶界面上的偏折特征。

　　YVO4晶体折射

　　单轴晶体的介电常数ε1=ε2≠ε3ε1=ε2≠ε3，北京激光从均匀介质入射到单轴晶体界面时o光和e光传输速度不同导致双折射现象，o光遵从Snell定理，e光与光轴方向夹角不同时折射率不同不遵从Snell定理。双折射表现为o、e光相位或者出射方向的不同。从均匀介质向单轴晶体界面入射时，入射角在必定范围内，e光会呈现负折射现象。负折射的临界入射角最大值和最大负折射角最大值均取决于双折射率Δn=|ne?no|Δn=|ne?no|，且ΔnΔn越大临界入射角和最大负折射角越大。

　　自然光入射到空气和单轴晶体界面，调查到o光、e光两条折射光线，均为正折射，调整入射视点能够调查到折射e光和入射光在法线同一侧的负折射状况。YVO4晶体用于调查丈量以上双折射及负折射特性，鉴于e光在单轴晶体中的特殊状况，也可用多块单轴晶体适当组合设计成相应的e光导波器材。