　　铌酸锂晶体有两个特色尤为引人重视，一是铌酸锂晶体光电效应多，具有包含压电效应、电光效应、非线性光学效应、光折变效应、光生伏打效应、光弹效应、声光效应等多种光电功能；二是铌酸锂晶体的功能可调控性强，这是由铌酸锂晶体的晶格结构和丰厚的缺点结构所形成，铌酸锂晶体的许多功能能够经过晶体组分、元素掺杂、价态操控等进行大幅度调控。

　　别的铌酸锂晶体的物理化学功能相当稳定，易于加工，光透过规模宽，具有较大的双折射，并且简单制备高质量的光波导，所以基于铌酸锂晶体的光调制器在长距离通讯中有着无可比拟的优势——不只具有很小的chirp效应、高调制带宽、杰出消光比，并且稳定性相当优胜，是高速器材中佼佼者，因此被广泛使用于高速高带宽的长距离通讯中。

　　铌酸锂晶体的制备

　　（1）同成分铌酸锂晶体

　　关于同成分铌酸锂晶体而言，其制备首要选用提拉法。尽管泡生法、导模法、温梯法等办法也曾用来进行铌酸锂晶体的制备，但是与提拉法相比并没有明显的优势或具有明确的使用需求，因此并未得到广泛的重视。

　　（2）近化学计量比铌酸锂晶体

　　近化学计量比铌酸锂晶体尽管具有许多优异的光电功能，但是其配比违背固液同成分共熔点，无法选用惯例的提拉法生长高质量的晶体，目前首要选用的制备办法有富锂熔体法、助熔剂法、分散法。

　　（3）铌酸锂单晶薄膜

　　铌酸锂单晶薄膜能够使用在光波导、声学器材等微纳结构以及制备硅基等混合集成器材等方面，人们很早就开端探究铌酸锂单晶薄膜的制备，不过真正得到使用的办法只有“离子切片”(IonSlicing)技能，目前已经实现了商品化，能够提供厚度为300~900 nm的单晶薄膜产品。

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